電波暗室是所有內(nèi)表面無(wú)反射材料的屏蔽室。模擬自由空間的傳信環(huán)境主要用于微波天線系統(tǒng)的參數(shù)測(cè)量。隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，電波暗室已經(jīng)被更多的人所理解和應(yīng)用，那么如何判斷電波暗室的性能呢？讓我們來(lái)看看。

一.電波暗室的電性能指標(biāo)

通常表示六個(gè)指標(biāo)，如靜區(qū)、反射率電平、交叉極化、多路徑損耗、幅度均勻性和工作頻率。

1.多路徑損耗：路徑損耗不均勻會(huì)旋轉(zhuǎn)電磁波的極化表面。如果波方向旋轉(zhuǎn)測(cè)試天線，接收信號(hào)的起伏不得超過(guò)±0.25dB，多路徑損失可以忽略。

2.場(chǎng)均勻性:在暗室靜區(qū)，沿軸移動(dòng)待測(cè)天線，要求起伏不超過(guò)±2dB；待測(cè)天線橫向上下移動(dòng)在靜區(qū)截面上，接收信號(hào)的起伏不得超過(guò)±0.25dB。

3.交叉極化：暗室結(jié)構(gòu)對(duì)稱性不嚴(yán)格.吸波材料對(duì)各種極化波吸收的不一致性以及暗室測(cè)試系統(tǒng)，使電波在暗室傳播過(guò)程中極化不純。如果測(cè)試天線與發(fā)射天線的極化面正交平行，則測(cè)試場(chǎng)的強(qiáng)比小于-25dB，認(rèn)為交叉極化符合要求。

二.電波暗室性能指標(biāo)

在利用光發(fā)射法和能量物理法模擬暗室性能時(shí)，應(yīng)考慮電波傳輸去耦、極化去耦、標(biāo)準(zhǔn)天線方向圖因素、吸波材料本身的垂直入射性能和斜入射性能、多次反射等影響。但在實(shí)際的工程設(shè)計(jì)過(guò)程中，吸波材料的性能往往是暗室性能的關(guān)鍵決定因素。

三.天線測(cè)量誤差

1.測(cè)試距離有限造成的誤差。設(shè)置待測(cè)量的是平面天線，接收的來(lái)波沿其主波束的軸向。如果測(cè)試距離大小，待測(cè)天線不同部位接受的場(chǎng)不能相同，因此有平方根律相位差。如果待測(cè)天線位于源天線遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)的邊界2D2/λ，其口徑邊緣和相位中心有22個(gè)場(chǎng).5度的相位差.如果測(cè)試距離加倍，相位差減半。對(duì)于測(cè)量中等旁瓣電平的天線，距離為2D2/λ通常已經(jīng)足夠了，測(cè)量的增益約為0.06dB。縮短測(cè)試距離會(huì)迅速增加測(cè)量誤差，側(cè)瓣會(huì)與主波束合并成肩臺(tái)式，甚至合并。.25dB錐銷將測(cè)量的增益降低到0左右.1dB，并造成近側(cè)瓣的一些誤差。

2.反射。由于波程差作為位置函數(shù)而迅速變化，直射波受到周圍物體反射的干擾，在測(cè)試區(qū)域形成場(chǎng)的變化，使起伏長(zhǎng)度屬于波長(zhǎng)的數(shù)量級(jí)。例如，直射波低20dB反射波可引起-0.92～+0.83dB功率誤差取決于兩者之間的差異；相位測(cè)量的誤差范圍是±5.7°，但如果反射波的場(chǎng)比直射波低40dB，側(cè)出的幅度和相位只有±0.09與±0.6°誤差。反射在低側(cè)瓣的測(cè)量中特別有害。一個(gè)小的反射可以通過(guò)主瓣耦合到待測(cè)天線來(lái)完全覆蓋耦合到側(cè)瓣的直射波。如果相耦合的直射強(qiáng)度等于反射波，則測(cè)量的側(cè)瓣電平將提高6dB左右，或在測(cè)得的波瓣圖中成為零點(diǎn)。

3.其他誤差。也可能導(dǎo)致天線測(cè)量誤差的因素有：低頻時(shí)與電抗近場(chǎng)耦合明顯；測(cè)量天線對(duì)準(zhǔn)誤差；其他干擾信號(hào)；測(cè)試電纜引起的誤差。

電波暗室的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，為了滿足人們的需求，電波暗室的參數(shù)和各個(gè)方面都會(huì)得到最好的改進(jìn)。